PADIS

Conjunto de incentivos fiscais federais estabelecido com o objetivo de contribuir para a atração de investimentos e ampliação dos já existentes nas áreas de semicondutores e displays (mostradores de informação), incluindo células e módulos/painéis fotovoltaicos e insum...

Portaria Interministerial MCTI/MDIC nº 1.045, de 02.10.2014

Estabelece etapas de produção que caracterizam, para as células solares montadas em módulos ou painéis, as atividades de 'corte, encapsulamento e teste' previstas na alínea 'c' do inciso I do art. 6º do Decreto nº 6.233, de 11.10.2007, para efeito de concessão de benefício fiscal no âmbito do Programa de Apoio ao Desenvolvimento Tecnológico da Indústria de Semicondutores e Displays (PADIS).

OS MINISTROS DE ESTADO DA CIÊNCIA, TECNOLOGIA E INOVAÇÃO e DO DESENVOLVIMENTO, INDÚSTRIA E COMÉRCIO EXTERIOR, no uso das atribuições que lhes confere o inciso II do parágrafo único do art. 87 da Constituição Federal, tendo em vista o disposto na alínea 'c' do inciso I do art. 6º do Decreto nº 6.233, de 11 de outubro de 2007, e considerando o que consta do processo MCTI nº 01200.00280902014-96, resolvem:

Art. 1º Esta Portaria Interministerial descreve as etapas de produção que caracterizam as atividades de 'corte, encapsulamento e teste', previstas na alínea 'c' do inciso I do art. 6º do Decreto nº 6.233, de 11 de outubro de 2007, para efeito de concessão de benefício fiscal no âmbito do Programa de Apoio ao Desenvolvimento Tecnológico da Indústria de Semicondutores e Displays - PADIS para as células fotovoltaicas, mesmo montadas em módulos ou painéis, classificadas na posição NCM 85.41.

Art. 2º Entende-se que as atividades mencionadas no art. 1º desta portaria estarão atendidas se houver a realização das seguintes etapas de produção:

I - corte e preparação dos terminais;

II - soldagem dos terminais nas células fotovoltaicas;

III - montagem do conjunto de células no vidro e soldagem das interligações das células;

IV - montagem da cobertura frontal e laminação do painel;

V - vedação e proteção da parte posterior;

VI - montagem da moldura no laminado, quando aplicável;

VII - montagem dos conectores e caixa de ligação; e

VIII - soldagem dos terminais de ligação aos conectores e testes.

Parágrafo único. A etapa prevista no inciso I será exigida a partir de 27 de maio de 2015.

Art. 3º Sempre que fatores técnicos ou econômicos, devidamente comprovados, assim o determinarem, e observado o disposto  no parágrafo único do art. 2º, a realização de qualquer etapa prevista no art. 2º poderá ser suspensa temporariamente ou modificada, por meio de portaria conjunta dos Ministros de Estado da Ciência, Tecnologia e Inovação e do Desenvolvimento, Indústria e Comércio Exterior.

Art. 4º Esta Portaria entra em vigor na data de sua publicação.

CLÉLIO CAMPOLINA DINIZ
MAURO BORGES LEMOS

Publicada no D.O.U. de 06.10.2014, Seção I, Pág. 4.

OS TEXTOS AQUI PUBLICADOS NÃO SUBSTITUEM AS RESPECTIVAS PUBLICAÇÕES NO D.O.U.

 

Portaria MCTI nº 1.309, de 19.12.2013

Para os fins do disposto no art. 3º, inciso I, da Lei nº 8.248, de 23 de outubro de 1991, e nº Decreto nº 5.906, de 26 de setembro de 2006, consideram-se componentes eletrônicos semicondutores desenvolvidos no País os dispositivos de que trata o art. 2º do referido Decreto, que atendam às especificações, normas e padrões adotados pela legislação brasileira e cujas especificações, projeto e desenvolvimento tenham sido realizados no País, por técnicos de comprovado conhecimento em tais atividades, residentes e domiciliados no Brasil.

O MINISTRO DE ESTADO DA CIÊNCIA, TECNOLOGIA E INOVAÇÃO, no uso das atribuições que lhe confere o art. 87, parágrafo único, incisos II e IV da Constituição Federal, tendo em vista o disposto no art. 3º da Lei nº 8.248, de 23 de outubro de 1991, e no art. 7º do Decreto nº 5.906, de 26 de setembro de 2006, resolve:

Art. 1º Para os fins do disposto no art. 3º, inciso I, da Lei nº 8.248, de 23 de outubro de 1991, e no Decreto nº 5.906, de 26 de setembro de 2006, consideram-se componentes eletrônicos semicondutores desenvolvidos no País os dispositivos de que trata o art. 2º do referido Decreto, que atendam às especificações, normas e padrões adotados pela legislação brasileira e cujas especificações, projeto e desenvolvimento tenham sido realizados no País, por técnicos de comprovado conhecimento em tais atividades, residentes e domiciliados no Brasil.

Parágrafo único. Os componentes eletrônicos semicondutores a que se refere o caput podem pertencer a uma ou mais das seguintes categorias:

I - circuitos integrados com larga escala de integração ("LSI - Large Scale Integration") ou com escala muito alta de integração ("VLSI - Very Large Scale Integration") dedicados a aplicações específicas;

II - circuitos integrados lógicos programáveis pelo usuário, tais como os circuitos integrados FPGAs ("field programmable gate arrays") ou PLDs ("programmable logic devices") com mais de 2.000 portas lógicas por componente;

III - outros componentes e dispositivos eletrônicos semicondutores, combinados ou não com outros elementos, materiais, dispositivos e tecnologias.

Art. 2º Para comprovar que o componente eletrônico semicondutor foi desenvolvido no País e atende às condições a que se refere o art. 1o desta Portaria, a empresa interessada deverá encaminhar ao Ministério da Ciência, Tecnologia e Inovação – MCTI requerimento de Reconhecimento da Condição de Componente Eletrônico Semicondutor Desenvolvido no País, devidamente instruídocom as seguintes informações:

I - identificação da empresa responsável pelo projeto/desenvolvimento do componente e de seus representantes legais: nome e razão social da empresa, CNPJ, endereço, telefone e página na Internet, quando houver; nome, cargo, endereço, telefone e correio eletrônico (e-mail) do representante legal da empresa e do responsável pelas informações prestadas no requerimento;

II - definição de concepção básica do componente (funcionalidades e usos);

III - apresentação da arquitetura proposta do componente (blocos funcionais, interconexões entres blocos e outros que se façam necessários);

IV - informação detalhada do projeto com especificações físicas e elétricas, definição do processo de fabricação, testes e validações usadas no protótipo, e outras, se necessário;

V - tecnologia e programas de computador utilizados no desenvolvimento das geometrias do leiaute do componente;

VI - fluxo de projeto;

VII - no caso de dispositivos lógicos programáveis, tais como circuitos integrados FPGA ou PLD complexos com mais de 2.000 portas, apresentar documentação que comprove o desenvolvimento do software de programação destes dispositivos;

VIII - relação dos integrantes da equipe técnica que concebeu, especificou e executou o projeto de desenvolvimento, informando nome, domicílio e residência, formação, experiência profissional e atividades desenvolvidas no projeto;

IX - outras informações e documentações relacionadas ao projeto e prototipagem do componente, que se façam necessárias à comprovação do desenvolvimento.

§ 1º No caso de componente eletrônico semicondutor desenvolvido por terceiros no País, o interessado deverá apresentar o respectivo contrato de transferência ou licenciamento de tecnologia, firmado com a respectiva instituição ou empresa.

§ 2º O produto que utilizar componentes de integração "VLSI - Very Large Scale Integration" dedicados ou proprietários, blocos funcionais proprietários (IP), bem como programas de computador residente ou embarcado ("firmware") que não tenha sido desenvolvido no País, somente poderá ser considerado como componente eletrônico semicondutor desenvolvido no País se apresentar novas funções na concepção do dispositivo final que resultem em significativa inovação tecnológica.

§ 3º O Requerimento de Reconhecimento da Condição de Componente Eletrônico Semicondutor Desenvolvido no País de que trata o caput deve ser protocolizado na sede do Ministério da Ciência, Tecnologia e Inovação em Brasília ou remetido pelo correio com aviso de recebimento.

Art. 3º As empresas deverão anexar ao Requerimento de que trata o art. 2º, conforme modelo constante do Anexo a esta Portaria, declaração atestando:

I - que o produto atende aos termos desta Portaria;

II - concordância em disponibilizar o acesso aos laboratórios onde foi realizado o desenvolvimento do projeto, ou etapas do mesmo, para inspeção técnica do MCTI ou por instituição por ele habilitada nos termos do art. 5º; e

III - que as informações prestadas são a expressão da verdade.

Art. 4º O MCTI dará publicidade, no Diário Oficial da União e em sua página eletrônica na Internet, dos produtos e respectivos modelos que obtiverem o reconhecimento da condição de componente eletrônico semicondutor desenvolvido no País, cujo respectivo ato servirá de prova para fins do disposto no art. 3º do Decreto nº 5.906, de 2006, e no art. 3º, inciso I, da Lei nº 8.248, de 23 de outubro de 1991, e sua regulamentação.

§ 1º O reconhecimento da condição de componente eletrônico semicondutor desenvolvido no País vigorará enquanto o produto mantiver as mesmas características constantes do pleito submetido ao MCTI.

§ 2º Sempre que houver modificações no projeto do produto, que impliquem alterações de suas características essenciais ou funcionalidades, a empresa deverá requerer obrigatoriamente novo reconhecimento da condição de componente eletrônico semicondutor desenvolvido no País.

Art. 5º O MCTI poderá habilitar instituições credenciadas pelo Comitê da Área de Tecnologia da Informação - CATI ou pelo Comitê das Atividades de Pesquisa e Desenvolvimento na Amazônia - CAPDA para subsidiá-lo na avaliação da condição de componente eletrônico semicondutor desenvolvido no País, mediante a emissão de laudo específico concernente ao atendimento dos requisitos exigidos por esta Portaria.

Art. 6º Ficam aprovadas as instruções para a elaboração do Requerimento de que trata o art. 2º consoante formulário disponível no seguinte endereço eletrônico do MCTI na Internet: http:// www. mct. gov. br/ sepin.

Art. 7º Os bens de informática e automação que tenham sido desenvolvidos no País e que utilizem componentes eletrônicos semicondutores desenvolvidos no País, reconhecidos pelo MCTI, poderão ser considerados como bem ou produto desenvolvido no País, desde que o componente eletrônico dedicado ou proprietário seja incorporado e indispensável à funcionalidade do bem ou produto.

Parágrafo único. Para comprovar que um determinado produto ou bem de informática ou automação que utiliza um componente eletrônico semicondutor desenvolvido no País atende às condições a que se refere o art. 1º da Portaria MCT nº 950, de 12 de dezembro de 2006, a empresa interessada deverá encaminhar ao MCTI requerimento de Reconhecimento da Condição de Bem Desenvolvido no País, nos termos da referida Portaria.

Art. 8º Esta Portaria entra em vigor na data de sua publicação.

MARCO ANTONIO RAUPP

Publicada no D.O.U. de 23.12.2013, Seção I, Pág. 21


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ANEXO

Modelo de Declaração a ser entregue junto com o Requerimento de Reconhecimento da Condição de Componente Eletrônico Semicondutor Desenvolvido no País

"DECLARAÇÃO

A empresa .... , CNPJ xx.xxx.xxx/xxxx-xx, localizada à ................., declara que o componente eletrônico semicondutor ............., modelo(s) .............. foi desenvolvido no País, conforme o disposto na Portaria MCTI nº ............., de ............. e autoriza o acesso à documentação referente ao mesmo para inspeção técnica do MCTI ou de instituição por ele habilitada nos termos do art. 5º da referida Portaria.

Declara, ainda, que as informações prestadas no Requerimento de Reconhecimento de Componente Eletrônico Semicondutor Desenvolvido no País referente ao produto e modelo especificados são a expressão da verdade, dispondo dos elementos legais comprobatórios das mesmas.

(Local e data)
(Assinatura)

___________________________________________

Nome do Representante Legal ou Principal Executivo"

OS TEXTOS AQUI PUBLICADOS NÃO SUBSTITUEM AS RESPECTIVAS PUBLICAÇÕES NO D.O.U.

 

Portaria Interministerial MCT/MDIC/MF nº 297, de 13.05.2008

 

Estabelece os procedimentos e prazo para análise dos projetos de que trata o art. 7º e regulamenta o disposto no parágrafo único do art. 20, ambos do Decreto nº 6.233, de 11 de outubro de 2007.

OS MINISTROS DE ESTADO DA CIÊNCIA E TECNOLOGIA, DO DESENVOLVIMENTO, INDÚSTRIA E COMÉRCIO EXTERIOR E DA FAZENDA, no uso da atribuição que lhes confere o inciso II do parágrafo único do art. 87 da Constituição, e tendo em vista o disposto no § 3º do art. 7º e no parágrafo único do art. 20 do Decreto nº 6.233, de 11 de outubro de 2007, resolvem:

Art. 1º Fica criado o Grupo Técnico Interministerial para avaliação de Pleitos no Programa de Apoio ao Desenvolvimento Tecnológico da Indústria de Semicondutores - GTI-PADIS, formado por representantes dos Ministérios da Ciência e Tecnologia - MCT, do Desenvolvimento, Indústria e Comércio Exterior - MDIC, e da Fazenda - MF, com a finalidade de analisar os projetos de concessão dos incentivos fiscais do Programa de Apoio ao Desenvolvimento Tecnológico da Indústria de Semicondutores - PADIS, instituído pelos arts. 1º a 11 da Lei nº 11.484, de 31 de maio de 2007, e regulamentado pelo Decreto no 6.233, de 11 de outubro de 2007.

§ 1º O GTI-PADIS será composto por:

I - dois representantes do Ministério da Ciência e Tecnologia, cabendo-lhes a coordenação do grupo;
II - dois representantes do Ministério do Desenvolvimento, Indústria e Comércio Exterior; e
III - dois representantes do Ministério da Fazenda.

§ 2º O GTI-PADIS se reunirá a cada 15 (quinze) dias, ou sempre que necessário, alternadamente no MCT, no MDIC ou no MF.

§ 3º Nas reuniões do GTI-PADIS, os representantes poderão ser assessorados por técnicos de cada Ministério, a fim de auxiliar a análise dos projetos.

§ 4º Os projetos referidos no caput deverão ser apresentados em 3 (três) vias e ser protocolizados no MCT, que manterá uma via e distribuirá as duas outras ao MDIC e MF após registro em cadastro.

§ 5º O MCT, MDIC e MF, em comum acordo, poderão introduzir regime de submissão e análise de pleitos concernentes ao PADIS por meio eletrônico.

Art. 2º No exercício de suas atividades, o GTI-PADIS deverá:

I - observar a adequação do projeto aos objetivos do programa;

II - conferir se a pessoa jurídica interessada apresentou a Certidão Conjunta de Débitos Relativos a Tributos Federais e à Dívida Ativa da União, bem como a Certidão Negativa de Débitos Relativos à Contribuição Previdenciária;

III - conferir se o projeto atende as instruções fixadas em portaria conjunta do MCT e do MDIC;

IV - observar se a empresa cumpre as atividades de concepção, desenvolvimento e projeto (design); difusão ou processamento físico-químico ou montagem final, encapsulamento e testes de dispositivos eletrônicos semicondutores e mostradores de informação (display) relacionados no Anexo I do Decreto nº 6.233, de 2007;

V - verificar o enquadramento nos Anexos do Decreto nº 6.233, de 2007, dos bens apresentados pela pessoa jurídica interessada, consultando, em caso de dúvida, a Secretaria da Receita Federal do Brasil;

VI - verificar a consistência técnica da relação insumo-produto ou insumo-capacidade de produção proposta no projeto, de forma a adequar as aquisições de bens e insumos constantes dos Anexos ao Decreto nº 6.233, de 2007, à capacidade de utilização pela pessoa jurídica habilitada nas atividades de desenvolvimento e fabricação de dispositivos eletrônicos semicondutores e mostradores (displays) relacionados no Anexo I do Decreto nº 6.233, de 2007;

VII - avaliar outros critérios e condições relevantes para a proposta de decisão aos Ministros de Estado.

§ 1º Ao final da análise, o GTI-PADIS deverá elaborar seu Parecer Técnico e, na hipótese de aprovação do projeto, uma minuta de Portaria Interministerial, a qual deverá ser encaminhada ao MCT para proceder aos trâmites necessários à assinatura dessa Portaria pelos titulares dos Ministérios da Ciência e Tecnologia, do Desenvolvimento da Indústria e Comércio Exterior e da Fazenda.

§ 2º Na hipótese de rejeição do projeto, devem ser comunicadas à pessoa jurídica interessada as razões do indeferimento, cabendo, no prazo de 10 (dez) dias, contado da data da ciência da rejeição, a apresentação de recurso, em instância única, ao Ministro de Estado da Ciência e Tecnologia.

§ 3º Julgado o recurso de que trata o § 2º, o GTI-PADIS adotará as providências cabíveis, inclusive cientificando a pessoa jurídica interessada da decisão proferida.

§ 4º O parecer do GTI-PADIS deverá ser assinado pelos representantes presentes à reunião em que este for aprovado.

Art. 3º Os projetos a que se refere o art. 1º poderão ser atualizados, a pedido da pessoa jurídica interessada ou do GTI-PADIS, sempre que fatores técnicos ou econômicos relevantes ocorrerem e que modifiquem as condições de fruição dos incentivos fiscais.

Art. 4º O prazo para apreciação dos projetos, no âmbito do GTI-PADIS, não poderá ser superior a 90 (noventa) dias, contados a partir de sua protocolização no MCT.

§ 1º A critério do GTI-PADIS, poderão ser solicitadas novas informações à pessoa jurídica interessada, que terá o prazo de 30 (trinta) dias para resposta, sob pena de arquivamento do projeto.

§ 2º Na hipótese do § 1º, fica suspensa a contagem do prazo previsto no caput.

Art. 5º O MCT é o órgão responsável pela publicação no Diário Oficial da União da portaria interministerial que aprova o projeto.

§ 1º O MCT informará à Secretaria da Receita Federal do Brasil quando for efetivada a publicação da portaria.

§ 2º Nos termos disciplinados em ato próprio, a Secretaria da Receita Federal do Brasil tomará as providências para habilitação da pessoa jurídica no prazo máximo de 30 (trinta) dias, contado da publicação da portaria de que trata o caput.

§ 3º Os benefícios fiscais terão início a partir da habilitação da pessoa jurídica pela Secretaria da Receita Federal do Brasil.

Art. 6º O MCT divulgará até 31 de outubro de cada ano-calendário as modalidades e os montantes de incentivos concedidos e aplicações em pesquisa e desenvolvimento, por empresa beneficiária e por projeto.

Parágrafo único. As empresas e os centros e institutos de pesquisa beneficiadas com as medidas do Programa de Apoio ao Desenvolvimento Tecnológico da Indústria de Semicondutores deverão encaminhar ao MCT, até 31 de julho, os dados relativos aos resultados alcançados.

Art. 7º Esta Portaria entra em vigor na data de sua publicação.

SERGIO MACHADO REZENDE
MIGUEL JORGE
GUIDO MANTEGA

Publicada no D.O.U. de 15/05/2008, Seção I, Pág. 16.

OS TEXTOS AQUI PUBLICADOS NÃO SUBSTITUEM AS RESPECTIVAS PUBLICAÇÕES NO D.O.U.

Portaria Interministerial MCT/MDIC nº 290, de 07.05.2008

Aprova as instruções para apresentação dos projetos a que se refere o § 4º do art. 6º do Decreto nº 6.233, de 2007, para fins de concessão dos incentivos fiscais do Programa de Apoio ao Desenvolvimento Tecnológico da Indústria de Semicondutores (PADIS), descritos nos arts. 2º a 4º do referido Decreto.

OS MINISTROS DE ESTADO DA CIÊNCIA E TECNOLOGIA e DO DESENVOLVIMENTO, INDÚSTRIA E COMÉRCIO EXTERIOR, no uso da competência que lhes foi atribuída pelo inciso II do § 1º do art. 7º do Decreto nº 6.233, de 11 de outubro de 2007, resolvem:

Art. 1º Aprovar as instruções para apresentação dos projetos a que se refere o § 4º do art. 6º do Decreto nº 6.233, de 2007, para fins de concessão dos incentivos fiscais do Programa de Apoio ao Desenvolvimento Tecnológico da Indústria de Semicondutores (PADIS), descritos nos arts. 2º a 4º do referido Decreto, na forma do Anexo a esta Portaria.

Art. 2º Os projetos referidos no art. 1º deverão ser apresentados pela empresa interessada em beneficiar-se dos incentivos do PADIS, descritos nos arts. 2º a 4º do Decreto nº 6.233, de 2007.

Parágrafo único. Será rejeitado o projeto elaborado sem observância desta Portaria e das anexas instruções.

Art. 3º O projeto de investimento em Pesquisa e Desenvolvimento (P&D) de que trata esta Portaria poderá ser alterado a qualquer tempo, mediante apresentação de prévia justificativa escrita e das informações solicitadas nas Seções A e B do Anexo, pelo menos, podendo ser exigidas outras informações relevantes para a análise da proposta.

Parágrafo único. Na hipótese de conclusão do projeto ainda na vigência dos benefícios, deverá ser apresentado novo projeto ou a atualização do projeto original.

Art. 4º Após a aprovação dos projetos, conforme ato dos Ministros de Estado da Ciência e Tecnologia, do Desenvolvimento, Indústria e Comércio Exterior e da Fazenda, será necessário que a empresa proceda sua prévia habilitação junto à Secretaria da Receita Federal do Brasil - RFB, de acordo com ato normativo específico, para que possa utilizar os benefícios fiscais do PADIS.

Art. 5º A empresa habilitada à fruição dos incentivos fiscais do PADIS poderá requerer a inclusão, nos referidos benefícios, de novos produtos ou de novos modelos, apresentando para tanto apenas as informações solicitadas nas Seções A e C do Anexo, desde que as demais informações permaneçam inalteradas.

Parágrafo único. A inalterabilidade das informações será comprovada mediante declaração formal da empresa, que deverá indicar, ainda, o número do processo original de concessão dos incentivos fiscais.

Art. 6º Esta Portaria entra em vigor na data de sua publicação.

SERGIO MACHADO REZENDE
MIGUEL JORGE

Publicada no D.O.U. de 09/05/2008, Seção I, Pág. 31.

OS TEXTOS AQUI PUBLICADOS NÃO SUBSTITUEM AS RESPECTIVAS PUBLICAÇÕES NO D.O.U.

Decreto nº 6.233, de 11.10.2007

Estabelece critérios para efeito de habilitação ao Programa de Apoio ao Desenvolvimento Tecnológico da Indústria de Semicondutores - PADIS, que concede isenção do imposto de renda e reduz a zero as alíquotas da Contribuição para o PIS/PASEP, da COFINS e do IPI, instituído pelos arts. 1º a 11 da Lei nº 11.484, de 31.05.2007.

http://www.planalto.gov.br/ccivil_03/_ato2007-2010/2007/Decreto/D6233compilado.htm

OS TEXTOS AQUI PUBLICADOS NÃO SUBSTITUEM AS RESPECTIVAS PUBLICAÇÕES NO D.O.U.

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Articles 2, 3 and 4 of Law nº 11484, of May 31, 2007 PDF 37 kb
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DECREE Nº 7600, OF NOVEMBER 07, 2011 PDF 93 kb
MCT-MDIC Ministerial Directive n 290, of 05.07.2008 PDF 62 kb
Triênio 2007-2009 PDF 331 kb
Triênio 2010-2012 PDF 4249 kb
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